英特尔宣布世界首台商用 high na euv 光刻机完成组装，计划明年投入研发使用-手机版亚博

英特尔今日宣布其已在位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的 fab d1x 研发晶圆厂完成世界首台商用 high na（0.55na） euv 光刻机的组装工作，目前已进入光学系统校准阶段。

▲ 图源英特尔新闻稿

这台光刻机型号 twinscan exe:5000，为 asml 的首代 high na euv 光刻机，价值约 3.5 亿美元（it之家备注：当前约 25.38 亿元人民币）。

就在不久前 asml 宣布其在荷兰埃因霍温总部的另一台 high na euv 光刻机成功绘制了 10nm 线宽的密集线图案。

英特尔表示 high-na euv 光刻机可拥有 1.7 倍于目前 0.33na euv 光刻机的一维密度，这意味着在二维尺度上可实现 190% 的密度提升。

采用 high-na euv 光刻机，可以更精细的尺度制造生产半导体，继续推动摩尔定律。

英特尔计划从 2025 年的 18a 新技术验证节点开始，在先进芯片开发和制造中同时使用 0.55na 和 0.33na 的 euv 光刻机。

此外英特尔还计划购买下一代 twinscan exe:5200b 光刻机，新机型晶圆吞吐量超过每小时 200 片。

不过根据it之家此前报道，asml 在 2021 年时对后 exe:5000 产品的称呼是 exe:5200。暂不清楚 exe:5200b 是 exe:5200 的改名还是改进型号。

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