三星计划将 tc-手机版亚博

三星半导体近日在韩国手机版亚博官网刊登了对两位高管关于 hbm 内存方面的采访，采访中这两位高管表示，三星计划将 tc-ncf 工艺用于 16 层 hbm4 内存的生产。

tc-ncf 是一种有凸块的传统多层 dram 间键合工艺，相较于无凸块的混合键合更为成熟；但因为凸块的引入，采用 tc-ncf 生产相同层数的 hbm 内存会相对更厚。

三星表示，其前不久成功采用 tc-ncf 键合工艺推出了 12 层堆叠的 36gb hbm3e 内存。在该内存生产过程中，三星针对发热进行了结构优化，保证高堆叠层数下 hbm 的可靠性。

除继续使用 tc-ncf 键合外，根据it之家此前报道，未来三星在 hbm4 内存生产中也会应用混合键合，采用“两条腿走路”策略。

三星高管表示，如果 ai 处理器和内存厂商各自优化产品，很难满足未来 agi 对算力的需求，因此两方面的厂商需要通力合作，而为特定 ai 需求定制 hbm 内存就是迈向 agi 的第一步。

三星电子将充分利用其全面的逻辑芯片代工、内存生产、先进封装业务，建立一个 hbm 内存定制生态平台，快速响应用户的定制需求。

此外，三星电子已就未来的 3d hbm 内存（将 hbm 和逻辑芯片垂直集成）与客户进行了讨论。

责任编辑：kj005